每个周期均包括依次层叠的P型BInGaN层、Mg3N2层和P型GaN层;P型GaN层的掺杂浓度≥1×1019cm‑3。实施本发明,可提升发光效率。 兆驰半导体:一种Micro-LED芯片及其制备方法:提升良率 江西兆驰半导体有限公司申请一项名为“一种Micro-LED芯片及其制备方法”的发明 ...
每个周期均包括依次层叠的P型BInGaN层、Mg3N2层和P型GaN层;P型GaN层的掺杂浓度≥1×1019cm3。实施本发明,可提升发光效率。 兆驰半导体:一种Micro LED芯片及其制备方法:提升良率 江西兆驰半导体有限公司申请一项名为“一种Micro-LED芯片及其制备方法”的发明专利 ...