此前，远山半导体凭借其在高压GaN器件领域的持续创新，已成功推出多款产品，并逐步将额定电压提升至1700V，这一电压等级的突破，相较于1200V器件实现了显著性能飞跃。为攻克GaN器件常见的电流崩塌难题，远山半导体采用了独具匠心的极化超级结（PSJ）技术，并对生产工艺进行了深度优化，使得器件不仅额定工作电压大幅提升至1700V，工作电流也达到了30A，为高功率应用场景提供了更为强劲的“芯”动力。

在这种背景下， 罗姆 致力于通过电子技术解决社会问题，专注于开发在大功率应用中可提升效率的关键—— 功率半导体 ，并提供相关的电源解决方案。本白皮书将通过“Power Eco Family”的品牌理念，介绍为构建应用生态系统做出贡献的 罗姆 ...

因此，EPC诉讼不会对英诺赛科的客户带来不利影响。此外，英诺赛科将继续通过法院上诉程序和美国专利商标局的无效程序来推动解决与EPC的纠纷，并有信心取得最终的完全胜利。 英诺赛科成立于 2015 ...

近年来，该公司不断加大人才、资金投入，在GaN大功率LED芯片、GaN功率器件领域，从材料生长到器件制作及集成应用都取得了相应的成果，相关技术成果获得国家技术发明二等奖、广东省技术发明一等奖、大湾区高价值专利大赛金奖等省部级以上科技奖励10项，具有强 ...

如果没有专门用于驱动GaNFET的DC-DC控制器，我们仍然可以有效地驱动GaNFET。在电路板面积近似时，即便使用原本用于驱动Si ...

香港, 2024年12月31日 - (亚太商讯) - 在经历近三个季度的放缓后，2024年下半年以来港股IPO重返活跃，投资者信心日益增强，内地企业来港上市步伐加快。经统计，截至12月30日，全年共有70家新股登陆港交所，内地企业62家占比88%，其余9家来自本港、新加坡及美国。

单芯片集成技术是提升GaN基功率芯片高频特性的主要技术路径，该技术长期受限于高压信号的串扰效应及p沟道晶体管的低电流密度。该团队创新提出了虚体隔离技术，利用移动空穴巧妙实现了对高压信号的屏蔽。该工作在国际上首次实现了650V Si基GaN高压集成 ...

首次成功制备的Zn-GaN 纳米线催化剂达成了 189 mmol g −1 h −1 的CH₄生成速率，而且其选择性高达93.6%，在光催化二氧化碳转化方面呈现出极为优异的 ...

通过合作，我们可以大幅推进电动出行，并帮助减少碳足迹。” 展望未来，AVL和VisIC计划扩展其GaN-on-Si平台，以实现800V GaN电源模块，从而确保其技术保持可扩展性，以及适应日益增长的纯电动汽车市场的需求。此次合作使AVL和VisIC Technologies处于GaN逆变器技术 ...