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三星电子准备在明年下半年量产HBM4（第六代HBM）。HBM4 是 HBM3E（第五代）的后继产品，是目前商业化的最新一代 HBM。它计划安装在英伟达的下一代人工智能加速器“Rubin”系列中。

DDR5的顺利投产，标志着中国在高端半导体领域的又一次重大突破。不同于传统的DRAM芯片，DDR5支持更高的数据传输率，单条内存条的带宽可达到4800 MT/s，相较于DDR4的2400 ...

存储器，包括DRAM（动态随机存取存储器）和NAND（闪存），一直是半导体行业的重要组成部分，存储器市场的增长为半导体产业带来了新的增长点，推动了半导体产业的进一步发展。特别是近年来随着以ChatGPT为代表的生成式人工智能（AI）技术的不断发展和普 ...

近日，中国自主研发的DDR5DRAM内存芯片成功投产并实现商用落地，这一消息在业内引起了广泛震动。CMXT在2022年每月的晶圆产量仅为7万块，但到了2023年，这一数字已迅速提升至12万块，预计2024年将达到20万块。据慧荣科 ...

PC等终端产品需求疲弱，拖累DRAM价格连3个月下跌、且跌幅扩大。 日经新闻25日报道，因以中国为中心、PC等终端产品需求疲弱，拖累在智能手机、PC、数据中心服务器上用于暂时存储数据的DRAM价格续跌、且跌幅扩大。2024年11月份指标性产品DDR4 ...

证券时报e公司讯，咨询机构TechInsights预计，存储器市场，包括DRAM和NAND在2025年将实现显著增长，这主要得益于人工智能（AI）及相关技术的加速采用。随着AI的兴起，特别是在机器学习和深度学习等数据密集型应用中，对高带宽内存（HBM ...

近期，半导体行业巨头三星电子与SK海力士相继调整了2024年第四季度的盈利预估，这一动态紧随美光科技发布的悲观业绩展望之后，共同揭示了整个存储芯片市场的疲软现状。

昨日，三大股指盘中窄幅震荡，尾盘回落走低，深证成指、创业板指跌约1%，上证50指数逆市拉升。截至收盘，沪指跌0.5%报3351.26点，深证成指跌1.03%报10537.4点，创业板指跌0.98%报2187.94点，上证50指数涨0.86%，万得微盘 ...

据证券之星消息，2024年12月11日，DRAM（内存）板块表现强劲，较前一交易日上涨了1.34%，其中上海贝岭表现突出，成为领涨 ...

IT之家12 月 11 日消息，韩媒 ZDNet 当地时间 9 日援引行业报告表示，三星电子已于近日启动下代 1c nm 制程 DRAM 内存量产所需设备的采购，从 Lam Research 泛林集团等主要半导体设备制造商购买的设备将于明年 2 月左右引进至量产线。 三星电子目前尚未官宣 1c nm（IT之 ...

近日，美国存储品牌PNY必恩威在新泽西州正式揭晓了其最新力作——CS2150 PCIe 5.0×4 M.2 2280固态硬盘。这款SSD采用创新的DRAM-less HMB技术，并全面兼容NVMe 2.0标准，为用户提供了1TB与2TB两种存储空间选择。 在性能表现上，CS2150展现出了惊人的实力。其中，2TB版本的 ...