在电动车、消费电子和高效能计算等领域持续发展的背景下，9月30日，IGBT（绝缘栅双极晶体管）概念板块的强势上涨引发广泛关注。根据东方财富网 ...

维也纳PFC整流器功率半导体器件主要由6个绝缘栅型晶体管（IGBT）和12个快恢复二极管（FRD）组成。在该拓扑应用中，所有IGBT和FRD均为硬开关 ...

光伏逆变器升压碳化硅二极管,储能逆变器SiC MOSFET,SiC碳化硅模块，混合IGBT，充电桩PFC碳化硅SiC二极管，V2G充电桩SiC MOSFET,无桥FPC SiC碳化硅MOSFET，图腾柱SiC碳化硅MOSFET，PFC碳化硅二极管SiC SBD,光伏碳化硅SiC模块，光伏混合IGBT模块，OBC碳化硅MOSFET，汽车DC-DC 碳化硅 ...

在中国自主芯片产业化征途上，有一支青年队伍，他们用不到10年的时间，帮助国家解决部分领域“芯片”卡脖子难题； 从高铁芯到汽车芯，从轨道交通延伸至高压、直流输电、新能源汽车的半导体碳化硅（SiC）等领域。

公开资料显示，宏微科技自成立以来一直从事以IGBT、FRD为主的功率半导体芯片、单管及模块的设计、研发、生产、销售，并为客户提供功率半导体器件解决方案。旗下产品涵盖IGBT、FRD、MOSFET芯片及单管产品300余种，广泛应用于工业控制、新能源发电、新能源 ...

这也是SiC MOSEFT比IGBT更适用于更高频率应用的原因 ... xqDednc 4. 减少死区时间 在电机应用中，为了使开关管工作可靠，避免由于关断延迟效应造成上下桥臂直通，需要设置死区时间 t dead ，也就是上下桥臂同时关断时间。由于SiC MOSEFT的开关时间短，实际应用中 ...

以TO-247PLUS 单管封装可广泛应用于最高40kW的汽车主驱逆变器，适合A0级和A00级纯电动汽车。以HPD等形式的750V IGBT功率模块可广泛应用于最高120kW的汽车主驱逆变器，适合A级纯电动及混合动力汽车。 本次投票禁止恶意刷票行为，主办方保留判断投票结果公正性 ...

根据AI大模型测算ST华微后市走势。短期趋势看，连续2日被主力资金增仓。主力没有控盘。中期趋势方面，下方累积一定获利筹码。近期该股快速吸筹，短线操作建议关注。舆情分析来看，目前市场情绪悲观。

近几年，随着电动汽车和新能源应用领域的快速发展，有着“工业CPU”之称的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）器件和模块也迎来了爆发。预计到2025年 ...

分立器件主要包括二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等。 「融资&IPO动态月汇总」 制作 I 芯潮 IC ID I xinchaoIC 芯潮IC不完全统计：2024年9月1日-30日，国内 ...

10月8日，新洁能收盘首板涨停，截至当日收盘，新洁能报37.93元/股，成交额11.52亿元，总市值157.54亿元，封板资金3914.28万元。 涨停原因：功率半导体+第三代半导体+汽车芯片+光伏 ...

光伏行业单管产品营收相比去年同期减少了1.79亿元。 事实上，斯达半导自成立以来，一直专注于IGBT功率模块。历年财报显示，IGBT模块在斯达半导的 ...