此前，远山半导体凭借其在高压GaN器件领域的持续创新，已成功推出多款产品，并逐步将额定电压提升至1700V，这一电压等级的突破，相较于1200V器件实现了显著性能飞跃。为攻克GaN器件常见的电流崩塌难题，远山半导体采用了独具匠心的极化超级结（PSJ）技术，并对生产工艺进行了深度优化，使得器件不仅额定工作电压大幅提升至1700V，工作电流也达到了30A，为高功率应用场景提供了更为强劲的“芯”动力。

在这种背景下， 罗姆 致力于通过电子技术解决社会问题，专注于开发在大功率应用中可提升效率的关键—— 功率半导体 ，并提供相关的电源解决方案。本白皮书将通过“Power Eco Family”的品牌理念，介绍为构建应用生态系统做出贡献的 罗姆 ...

因此，EPC诉讼不会对英诺赛科的客户带来不利影响。此外，英诺赛科将继续通过法院上诉程序和美国专利商标局的无效程序来推动解决与EPC的纠纷，并有信心取得最终的完全胜利。 英诺赛科成立于 2015 ...