在半导体制造领域，极紫外光刻（EUV）技术一直是推动芯片制造先进工艺发展的关键。然而，当前的EUV光刻系统面临着能耗高、成本昂贵等问题。近日，美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室（LLNL）宣布正在研发一种基于铥元素的拍瓦级（petawatt-class）铥 ...

1月6日消息，美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室（LLNL）宣布开发出了一种名称为大孔径铥 （BAT） 激光器，旨在为极紫外 （EUV） 光刻技术的下一步发展奠定基础。该激光器的效率号称是目前ASML EUV光刻机中使用的二氧化碳（CO2）激光器的 10 ...

据劳伦斯利弗莫尔国家实验室的研究团队介绍，相比现有EUV光刻系统所采用的CO2激光器，BAT 激光器可以将 EUV能源效率提高约 10 倍。这可能会助力未来“beyond EUV”光刻系统能够生产更小、更强大、制造速度更快、耗电量更少的芯片。

1月6日消息，美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室（LLNL）宣布开发出了一种名称为大孔径铥 （BAT） 激光器，旨在为极紫外 （EUV） 光刻技术的下一步发展奠定基础。该激光器的效率号称是目前ASML EUV光刻机中使用的二氧化碳（CO2）激光器的 10 ...

具体来说，ASML EUV光刻机的光源分为两个部分：第一个部分就是通快集团供应的30KW二氧化碳激光器，也称之为“drive laser”，其主要作用就是提供 ...

如果下一代超数值孔径（Hyper-NA EUV）光刻技术上市，功耗可能会更高。因此，我们可以预期该行业将继续寻找更节能的技术来为未来的EUV光刻机提供动力，而LLNL的 BAT激光技术无疑为这一目标提供了新的可能性。

美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室(LLNL)正致力于研发一种革命性的激光器——拍瓦级(petawatt-class)铥激光器(thulium laser)，其效率远超传统的CO2 EUV激光器，高达10倍之多，为下一代EUV光刻技术的突破奠定了坚实基础。

据报道，美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室正在研发一种拍瓦级（petawatt-class）铥激光器（thulium laser），据说其效率比 EUV 工具中使用的二氧化碳激光器高 10 倍，并且可以在未来许多年内取代光刻系统中的二氧化碳激光器。

EUV-Strahlung zu erzeugen, ist extrem ineffizient. Ein neuer Festkörperlaser soll Abhilfe schaffen, er ist auch für ...

近日据芯智讯报道，俄罗斯自研出EUV光刻机。这一重大突破或将打破ASML在该领域的技术垄断，为全球半导体产业带来新的变革。 EUV光刻机是制造 ...

在半导体制造行业，DUV（深紫外）光刻机可以用于制造7nm及以上工艺的芯片，涵盖了大部分数字芯片和几乎所有的模拟芯片，而ASML则凭借着对EUV光刻机和浸润式DUV光刻机的垄断，掌控着全球几乎所有晶圆厂的芯片制造命脉。 2024年4月，克里斯托夫·富凯（Christophe ...

LIVERMORE, Kalifornien (IT-Times) - Ein US-Forschungsinstitut will mit Hilfe von Lasertechnologie die Extreme Ultra Violett (EUV)-Effizienz steigern und meldet nun einen Durchbruch in der Lithografie- ...