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腾讯网
3 小时
国产DRAM市场份额有望在2025年增至10%
据业内人士透露,得益于长鑫存储(CXMT)等中国企业的快速发展,中国在全球DRAM芯片市场的份额有望在2025年实现同比翻倍,达到10%。这一数字相较于五年前几乎为零的市场份额,实现了显著的增长。近年来,中国在高端存储领域的布局加速,尤其是在DRAM ...
5 小时
兆易创新:预计2025年上半年利基型DRAM市场将继续处于价格底部盘整阶段
金融界1月16日消息,兆易创新(603986)披露投资者关系活动记录表显示,公司预计利基型DRAM市场将在2025年上半年继续处于价格底部盘整阶段,随着市场消化大厂尾货,供给格局改善,价格有望在下半年企稳回升,公司的盈利能力也会有所改善。至于NOR Flash业务,公司将继续推进在AI终端的应用,特别是在AI耳机和AI眼镜领域,随着产品容量需求的提升,预计将对市场规模产生拉动效应。
7 小时
on MSN
美光:将量产 16 层堆叠 HBM3E 内存
【1 月 16 日,DRAM 内存巨头美光将加入 16 层堆叠 HBM3E 内存竞争】据 ChosunDaily,美光已在进行最终设备评估,计划年内实现量产。 本文由 AI 算法生成,仅作参考,不涉投资建议,使用风险自担 ...
7 小时
深科技跌0.22%,成交额6.10亿元,主力没有控盘
根据AI大模型测算深科技后市走势。短期趋势看,连续2日被主力资金减仓。主力没有控盘。中期趋势方面,上方有一定套牢筹码积压。近期筹码关注程度减弱。舆情分析来看,目前市场情绪极度悲观。
8 小时
消息称美光将加入16-Hi HBM3E竞争 已在进行最终设备评估
DRAM内存巨头之一的美光也将加入16-Hi(即16层堆叠)HBM3E内存的竞争,已在进行最终设备评估,计划年内实现量产。
9 小时
on MSN
2025年国产DRAM芯片市场份额将翻倍达10%?
近年来,中国在全球DRAM芯片市场的地位显著提升,这一变化主要得益于国内企业的迅猛发展。据行业内部消息,到2025年,中国在全球DRAM芯片市场的份额有望翻一番,达到10%,与五年前几乎可以忽略不计的市场份额相比,实现了质的飞跃。
头部财经
11 小时
消息称美光将加入 16-Hi HBM3E 战场,已在进行最终设备评估
1 月 16 日消息,韩国媒体《朝鲜日报》今日报道称,DRAM 内存巨头之一的美光也将加入 16-Hi(注:即 16 层堆叠)HBM3E 内存的竞争, 已在进行最终设备评估,计划年内实现量产 。
wap.stockstar
1 天
芯趋势丨存储市场持续转跌,厂商结构性减产,何时扭转?
在消费电子市场需求仅维持温和复苏态势下,存储市场价格终究无法持续上行,开始进入下跌区间。叠加一季度是消费电子的相对淡季,行业普遍预计,存储市场将继续承压。
wap.stockstar
3 天
北京君正:DRAM新工艺21nm和20nm预计今年推出
证券时报e公司讯,北京君正 ...
7 天
on MSN
博帝CES 2025秀肌肉:14GB/s无缓存DRAM SSD与48GB高速内存条亮相
在今年的CES 2025盛会上,存储领域的佼佼者博帝带来了多款令人瞩目的新品,其中最为耀眼的当属其消费级无缓存DRAM固态硬盘——Viper PV563。这款SSD凭借PCIe ...
前瞻网
14 天
【存储芯片】行业市场规模:2024年中国存储芯片行业市场规模将达到 ...
按照断电后数据是否丢失,可分为易失性存储芯片和非易失性存储芯片。易失性存储芯片常见的有DRAM和SRAM。非易失性存储芯片常见的是NAND闪存芯片和NOR闪存芯片。目前存储芯片市场以NAND Flash和DRAM为主。2023年,中国DRAM产品占总市场规模比重约为56%。 中国存储 ...
17173游戏网
16 天
鼓励多技术路线探索,消息称三星电子准备开发传统结构 1e nm DRAM 内存
韩媒 the bell 当地时间 26 日报道称,三星电子准备启动采用常规结构的 1e nm(即第 8 代 10 纳米级)制程 DRAM,实现先进内存开发多轨化,为未来可能 ...
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