近日，有美国媒体报道称，中国DRAM内存，已经取得了巨大的进展，长鑫的DDR5已经量产了，采用的是17.5nm的技术，良率高达80%左右，不输给国外的大厂了。

12月27日晚间，碧桂园在港交所发布公告，宣布旗下一家间接非全资有限合伙企业作为卖方与买方合肥建长股权投资合伙企业（有限合伙）及长鑫科技集团股份有限公司（以下简称“长鑫科技”）订立股份转让协议。据此，买方同意购买销售股权（相当于长鑫科技约1.56%的 ...

值得注意的是，在今年3月29日，国产存储芯片厂商兆易创新曾发布公告称，为加强公司与长鑫科技的战略合作关系，拟以自有资金15亿元人民币参与长鑫科技新一轮融资。此次增资完成后，兆易创新将持有长鑫科技约1.88%股权。

而在此次增资之前，兆易创新已经持有长鑫科技约0.9527%的股权。也就是说，兆易创新15亿元的增资，对应取得的股权约为0.9273%。据此计算，当时长鑫科技的投后估值约为1617.60亿元（当时这一轮融资的增资总额为108亿元）。

PC等终端产品需求疲弱，拖累DRAM价格连3个月下跌、且跌幅扩大。 日经新闻25日报道，因以中国为中心、PC等终端产品需求疲弱，拖累在智能手机、PC、数据中心服务器上用于暂时存储数据的DRAM价格续跌、且跌幅扩大。2024年11月份指标性产品DDR4 ...

相比传统DRAM，HBM的制造流程的增量环节主要是封装段，建议关注HBM先进封装相关设备标的：精智达（测试机）、赛腾股份（检测设备）等。国内DRAM产业总体落后，HBM制造同样会带来前道DRAM制造设备的增量需求，建议关注前道制造设备标的：北方华创、中微公司 ...

证券时报e公司讯，咨询机构TechInsights预计，存储器市场，包括DRAM和NAND在2025年将实现显著增长，这主要得益于人工智能（AI）及相关技术的加速采用。随着AI的兴起，特别是在机器学习和深度学习等数据密集型应用中，对高带宽内存（HBM ...

近期，半导体行业巨头三星电子与SK海力士相继调整了2024年第四季度的盈利预估，这一动态紧随美光科技发布的悲观业绩展望之后，共同揭示了整个存储芯片市场的疲软现状。

易失性存储器（如DRAM和SRAM）虽然速度快，但断电后数据丢失，适用于临时数据存储场景，例如计算机的主内存和缓存。 非易失性存储器（如NAND Flash、NOR Flash、EEPROM、MRAM）则能在断电后保存数据，适用于长时间存储的重要数据，如固态硬盘、嵌入式系统和BIOS。

据证券之星消息，2024年12月11日，DRAM（内存）板块表现强劲，较前一交易日上涨了1.34%，其中上海贝岭表现突出，成为领涨 ...

IT之家12 月 11 日消息，韩媒 ZDNet 当地时间 9 日援引行业报告表示，三星电子已于近日启动下代 1c nm 制程 DRAM 内存量产所需设备的采购，从 Lam Research 泛林集团等主要半导体设备制造商购买的设备将于明年 2 月左右引进至量产线。 三星电子目前尚未官宣 1c nm（IT之 ...

Kiwoom证券研究员表示，预计今年年底和明年初DRAM价格将大幅下跌。 根据市场研究公司 DRAMeXchange 12 月 8 日的数据，截至 11 月底，通用 PC DRAM 产品 （DDR4 8Gb 1Gx8） 的平均固定交易价格为 1.35 美元。与 7 月份的 35.7 美元价格相比，这显著下降了 2.1%。今年下半年 DRAM ...