近日，作为ASML CEO的富凯在接受荷兰《新鹿特丹报》（NRC）采访时指出，由于美国禁止向中国出口EUV（极紫外）光刻设备，中国芯片制造技术与英特尔、台积电和三星等行业巨头相比，将落后西方10到15年。

众所周知，由于美国对中国芯片行业的制裁， ASML 目前无法向中国大陆出售EUV光刻机设备。此前有报道称中芯国际曾向ASML订购过EUV设备，但由于《瓦森纳协定》的限制，ASML没能够卖给中芯国际。

荷兰晶片设备制造巨擘艾司摩尔（ASML）执行长福克（Christophe Fouquet）表示，儘管中国大陆企业如中芯国际近年来在半导体领域有显着进展，但由于无法取得最先进的极紫外光微影设备（EUV），晶片制程技术仍落后台积 ...

尽管纳米压印（NIL）和电子束曝光（EBL）等技术在某些特定应用中显示出潜力，但在当前的芯片大规模制造中，光刻技术依然是主流。尤其是在高精度、大规模生产方面，光刻机扮演着无可替代的角色。

近日，国内媒体IT之家报道，日本先进逻辑半导体厂商Rapidus宣布，其从ASML购入的首台EUV光刻机已经在千岁市IIM-1晶圆厂交付并启动安装，这台EUV光刻机是日本境内首次引入量产用EUV设备。对光刻机设备有一定了解的用户都知道，日本的尼康、佳 ...

文/王新喜近日据芯智讯报道，俄罗斯自研出EUV光刻机。这一重大突破或将打破ASML在该领域的技术垄断，为全球半导体产业带来新的变革。EUV光刻机是制造先进芯片的关键设备，制造 EUV ...

ASML全球副总裁、中国区总裁沈波早前向硅基世界透露， 到2023年底，ASML在中国的光刻机加上量测的机台装机量接近1400台。基于对产能的判断，ASML目标是在2025年底或2026年初，具备全球每年500台-600台深紫外（DUV）的设备产能。

光刻机的发展历程充满挑战，最前沿的EUV光刻机代表着第六代技术，用于7nm以下芯片的制造，而我们当前只有ArF光刻机可用。早前，上海微电子生产的90nm光刻机虽然量产，但如今显得有些落后。近期曝光的新型氟化氩光刻机，采用193nm波长，其分辨率达到了65nm，套刻精度更是小于等于8nm，标志着我们在ArF领域的技术已进入顶级水平。下一步，我们需要攻克浸润式DUV光刻机（也称ArFi光刻机），由于这 ...

我国氟化氩光刻机使用波长为193纳米的光源，而荷兰ASML的EUV光刻机使用波长为13.5纳米的光源，比DUV的光源要短14倍以上，其提供者就是美国Cymer公司 ...

ASMLCEO谈中国和西方芯片制造差异！ASML ...