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Analysis for DC and RF Characteristics Recessed-Gate GaN MOSFET Using Stacked …
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[PDF] 600 V GaN vertical V-trench MOSFET with MBE regrown channel | S…

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Small-signal model parameter extraction of E-mode N-polar GaN MOS-HEMT using optimizati…
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氮化鎵GaN 器件主流- 600V GaN D-mode HEMT介紹 – 芯動力科技股份有限公司
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